特許

総数登録特許 13件  公開特許 98件  国際特許 11件

登録特許

  1. 河合、感光性樹脂塗布装置、特許 1614190(1984)
  2. 中島、佐藤、徳井、河合、半導体記憶装置の製造方法、特許1875148(1985) 
  3. 河合、魚谷、宮崎、パターンの位置合わせずれ量評価方法、特許1650326(1985)
  4. 河合、密着強化剤塗布方法、特許2027790(1986)
  5. 小川、中島、河合、塗布方法、特許2032170(1986)
  6. 小川、中島、河合、レジスト膜形成装置、特許2613183(1986)
  7. 河合、魚谷、レジスト膜の塗布方法、特許1953374(1988)
  8. 河合、微細レジストパターンの形成方法、特許2565754(1988)
  9. 河合、魚谷、半導体装置の製造方法、特許 2580681(1988)
  10. 河合、フォトマスク、特許 2641589(1990)
  11. 河合、永田、現像装置、特許公報(B2) 平3-185710(1991)
  12. 河合、振動測定装置及び振動測定方法, 特許5004223号 (2012)
  13. 河合、鈴木、ナノ気泡の判別方法及びその装置, 特許5013320号 (2012)

特許証5004223

12.振動測定装置及び振動測定方法

特許証5013320

13.ナノ気泡の判別方法及びその装置

公開特許

(1997年以前の出願特許は、特許戦略により審査請求をしていない。)

  1. 河合、栄森、佐藤、配線パターン形成方法、公開特許公報(A) 昭60-57622(1983)
  2. 板倉、魚谷、西岡、河合、半導体装置の製造方法、公開特許公報(A) 昭60-202954(1984)
  3. 河合、西岡、板倉、魚谷、半導体装置の製造方法、公開特許公報(A) 昭60-246630(1984)
  4. 魚谷、西岡、河合、板倉、半導体装置の製造方法、公開特許公報(A) 昭61-4247(1984)
  5. 河合、感光性樹脂塗布装置、公開特許公報(A) 昭61-22627(1984)
  6. 河合、佐藤、徳井、中島、半導体記憶装置の製造方法、公開特許公報(A) 昭62-144351
    (1985)
  7. 長友、中島、河合、小崎、半導体記憶装置、公開特許公報(A) 昭62-141758(1985)
  8. 徳井、佐藤、河合、中島、半導体記憶装置の製造方法、公開特許公報(A) 昭62-141757
    (1985)
  9. 小崎、佐藤、徳井、河合、半導体記憶装置、公開特許公報(A) 昭62-141756(1985)
  10. 中島、佐藤、徳井、河合、半導体記憶装置の製造方法、公開特許公報(A) 昭62-141759
    (1985)
  11. 佐藤、徳井、河合、中島、半導体集積回路装置、公開特許公報(A) 昭62-140458(1985)
  12. 魚谷、河合、宮崎、半導体装置の製造方法、公開特許公報(A) 昭62-086725(1985)
  13. 宮崎、魚谷、河合、半導体製造装置、公開特許公報(A) 昭62-086724(1985)
  14. 河合、魚谷、宮崎、パターン位置合わせずれ量評価方法、公開特許公報(A) 昭62-086741
    (1985)
  15. 河合、レジストパターン形成方法、公開特許公報(A) 昭62-086726(1985)
  16. 宮崎、河合、液体吐出装置、公開特許公報(A) 昭62-61668(1985)
  17. 河合、魚谷、樹脂塗布方法、公開特許公報(A) 昭62-27074(1985)
  18. 河合、レジストパターン形成方法、公開特許公報(A) 審判平03-003071 (1985)
  19. 河合、半導体記憶装置、公開特許公報(A) 昭62-202555(1986)
  20. 河合、密着強化剤塗布方法、公開特許公報(A) 昭62-211643(1986)
  21. 河合、魚谷、処理液塗布装置、公開特許公報(A) 昭63-136528(1986)
  22. 小川、中島、河合、レジスト塗布膜厚制御装置、公開特許公報(A) 昭63-131517(1986)
  23. 木村、魚谷、河合、半導体製造におけるフォトレジスト塗布装置、公開特許公報(A) 昭63-119531(1986)
  24. 松田、河合、半導体装置の製造方法、公開特許公報(A) 昭63-312643(1987)
  25. 千葉、河合、池田、竹内、半導体装置の製造方法、公開特許公報(A) 昭63-260079(1987)
  26. 河合、池田、竹内、千葉、半導体記憶装置、公開特許公報(A) 昭63-260066(1987)
  27. 河合、シリカガラス液吐出装置、公開特許公報(A) 昭63-278234(1987)
  28. 河合、魚谷、宮崎、中島、処理シーケンス自動設定装置、公開特許公報(A) 昭63-265303
    (1987)
  29. 河合、薬液加圧装置、公開特許公報(A) 昭63-258634(1987)
  30. 竹内、千葉、河合、池田、半導体装置の製造方法、公開特許公報(A) 昭63-221665(1987)
  31. 小川、河合、中島、塗布装置、公開特許公報(A) 昭63-110637(1988)
  32. 池田、竹内、千葉、河合、スタテイック型半導体記憶装置およびその製造方法、昭63-237462 (1987)
  33. 河合、魚谷、半導体装置の製造方法、公開特許公報(A) 平1-217915(1988)
  34. 宮崎、河合、中島、露光方法、公開特許公報(A) 平1-283926(1988)
  35. 河合、ウエハチャック、公開特許公報(A) 平1-283930(1988)
  36. 河合、半導体ウエハの現像装置、公開特許公報(A) 平1-260823(1988)
  37. 河合、塗布膜形成方法、公開特許公報(A) 平1-253920(1988)
  38. 河合、塗布膜除去装置、公開特許公報(A) 平1-253923(1988)
  39. 岸村、河合、宮崎、小川、パターン形成方法、公開特許公報(A) 平1-123232(1987)
  40. 河合、岸村、宮崎、小川、レジストパターン形成方法、公開特許公報(A) 平1-132123
    (1987)
  41. 小川、河合、岸村、宮崎、パターンの形成方法、公開特許公報(A) 平1-134917(1987)
  42. 宮崎、河合、小川、岸村、電極配線の形成方法、公開特許公報(A) 平1-130546(1987)
  43. 河合、露光方法、公開特許公報(A) 平2-010818(1988)
  44. 中島、河合、半導体装置の光学特性評価装置、公開特許公報(A) 平2-014544(1988)
  45. 中島、河合、半導体ウエハ搬送装置、公開特許公報(A) 平2-014545(1988)
  46. 山口、河合、魚谷、パターン形成方法、公開特許公報(A) 平2-015615(1988)
  47. 河合、永田、パターン形成方法、公開特許公報(A) 平2-037352(1988)
  48. 河合、ウエハ周辺露光装置、公開特許公報(A) 平2-037712(1988)
  49. 河合、フォトレジストの露光方法および露光装置、公開特許公報(A)平2-063058(1988)
  50. 河合、パターン形成方法、公開特許公報(A) 平2-069929(1988)
  51. 河合、魚谷、レジスト膜の塗布方法、公開特許公報(A) 平2-074948(1988)
  52. 河合、微細レジストパターンの形成方法、公開特許公報(A) 平2-89060(1988)
  53. 河合、露光装置、公開特許公報(A) 平2-097011(1988)
  54. 河合、樽本、レジスト塗布装置、公開特許公報(A) 平2-113518(1988)
  55. 河合、レジスト塗布装置、公開特許公報(A) 平2-129912(1988)
  56. 河合、露光装置、公開特許公報(A) 平2-153518(1988)
  57. 河合、永田、現像装置、公開特許公報(A) 平3-185710(1989)
  58. 河合、微細パターン形成方法、公開特許公報(A) 平3-185711(1989)
  59. 河合、微細パターン形成方法、公開特許公報(A) 平3-198133(1989)
  60. 河合、スピナー装置、公開特許公報(A) 平3-219619(1990)
  61. 河合、レジストパターン形成方法、公開特許公報(A) 平3-223760(1990)
  62. 河合、微細パターン形成方法、公開特許公報(A) 平3-235948(1990)
  63. 河合、微細パターン形成方法、公開特許公報(A) 平3-237458(1990)
  64. 河合、微細パターン形成方法、公開特許公報(A) 平3-259257(1990)
  65. 河合、半導体ウエハ用ステージ、公開特許公報(A) 平4-111339(1990)
  66. 河合、位置合わせマーク形成方法、公開特許公報(A) 平4-115517(1990)
  67. 河合、アライメントマークおよびその形成方法、公開特許公報(A) 平4-122012(1990)
  68. 山下、河合、電界効果トランジスタ、公開特許公報(A) 平4-163961(1990)
  69. 河合、半導体ウエハ搬送体、公開特許公報(A) 平4-271138(1990)
  70. 河合、半導体装置、公開特許公報(1990)
  71. 河合、フォトレジスト露光装置、公開特許公報(1990)
  72. 河合、高反射基板上でのパターニング、公開特許公報(1990)
  73. 河合、露光装置、公開特許公報(1990)
  74. 河合、フォトマスク、公開特許公報(1991)
  75. 河合、微細パターン形成方法、公開特許公報(1991)
  76. 河合、微細パターン形成方法、公開特許公報(1991)
  77. 河合、フォトマスク、公開特許公報(1991)
  78. 河合、パターン位置合わせずれ量評価方法、公開特許公報(A) 平3(1991)
  79. 河合、Alignment Mark having Regions Formed by Energy Beam Irradiation Therein and Method of Manufacturing the Same, 公開特許公報(A) 平3(1991)
  80. 河合、半導体装置の製造方法、公開特許公報(A) 特開平06-37193 (1992)
  81. 河合、半導体装置の製造方法、公開特許公報(A) 特開平06-89894 (1992)
  82. 河合、半導体装置の製造方法、公開特許公報(A) 特開平06-163453 (1992)
  83. 河合、半導体装置の製造方法、公開特許公報(A) 特開平06-97068 (1992)
  84. 河合、半導体装置の製造方法、公開特許公報(A) 特開平06-61360 (1992)
  85. 河合、半導体装置の製造方法、公開特許公報(1992)
  86. 河合、半導体装置の製造方法、公開特許公報(1992)
  87. 河合、露光装置、公開特許公報(1992)
  88. 河合、平坦化方法、公開特許公報(1993)
  89. 河合、半導体装置の製造方法、公開特許公報(1993)
  90. 中村、吉田、河合、レジストを用いた型及びその製造方法、コンタクトプローブ及びその製造方法、公開特許公報(A) 特開平11-326376 (1998)
  91. 河合、固体表面の微小付着物の物性評価方法、公開特許公報(A) 特開平11-248619 (1998)
  92. 河合、亀井、基板表面の汚染度検出方法及び基板表面の汚染度検出装置、公開特許公報(A) 特開平11-248617 (1998)
  93. 河合、カンチレバー型の吸着センサー並びに吸着力解析方法、公開特許公報(A) 特開2000-214072 (1999)
  94. 河合、試料表面の付着物検査システム、試料表面の付着物検査方法、試料表面の付着物固着システム並びに試料表面の付着物処理システム、公開特許公報(A)特願平11-332081 (1999)
  95. 河合、大澤、付着強度試験方法および装置、特許出願済み (2003)
  96. 河合、川上、屈折率分布の解析方法、特願2007-38310号 (2007)
  97. 河合、振動測定装置及び振動測定方法、特願2007-169543号 (2007)
  98. 鈴木、河合、ナノ気泡の判別方法及びその装置、特願2007-293673号(2007)

国際特許

  1. 河合、アメリカ , Method for Applying a Treatment Liquidon a Semiconductor Wafer, 4702796 (1987).
  2. 河合、魚谷,アメリカ , Method for Applying a Treatment Liquidon a Semiconductor Wafer, 4763182 (1988).
  3. 河合、韓国, Semiconductor Memory Device, 35129(1990).
  4. 河合、ドイツ , Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterspei-chereinrichtung, 3639375(1990).
  5. 河合、ドイツ Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterspei-chereinrichtung, 3639375 (1990).
  6. 河合、イギリス, Semiconductor Memory Device, 0227381(1991).
  7. 河合、フランス , Semiconductor Memory Device, 0227381(1991).
  8. 河合、アメリカ , Method for Applying a Treatment Liquidon a Semiconductor Wafer, 5001084 (1991).
  9. 河合、ドイツ , Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterspei- chereinrichtung,3642595 (1991).
  10. 河合、ドイツ , Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterspei-chereinrichtung, 3639058 (1991).
  11. 河合、ドイツ Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterspei- chereinrichtung, 3681571 (1991).