『半導体プロセス技術の基礎とノウハウおよびトラブル対策』をテーマにセミナーを開催します

セミナーは終了しました

セミナー概要

● 日　時　2021年11月12日(金) 10:30～16:30
● 会　場　【WEB限定セミナー】※在宅、会社にいながらセミナーを受けられます
● 主　催　株式会社R&D支援センター
● 講　師　河合 晃 教授

※詳細(申込み)は主催者ページをご覧ください。
https://www.rdsc.co.jp/seminar/211104

セミナー内容

趣旨

近年、世界の半導体市場は急速に拡大しており、高機能デバイスの製造プロセスは高い技術水準と競争力が求められています。これらのプロセス技術の基礎を幅広く理解することにより、各種トラブルへの対処および技術開発が可能となり、歩留まり改善や生産性向上へと繋がると考えます。本セミナーでは、半導体デバイス製造に携わる技術者の方々を対象に、各基本プロセスの主要技術やトラブル事例について概説します。特に、プロセス原理およびモデルを理解することで、現実の製造プロセスの抱える諸問題へ対処する能力を養うことを目的としています。また、初めて半導体プロセスに関わる方々の入門講座としても適しています。セミナーでは、講師の製造現場での実務経験、および大学院での講義経験を潤沢に反映させています。また、本セミナーでは、受講者の方々の日頃のトラブル相談・技術開発相談にも応じます。

受講対象・レベル

半導体デバイスに関わる技術者、製造装置、素材、材料分野の技術者、半導体プロセス分野の技術管理および設計担当者、デバイスプロセスの基本学習希望者

必要な予備知識

半導体の基礎、および物理化学の基礎

習得できる知識

５G・ミリ波対応技術の特徴、プリント基板材料に求められる技術、実装技術、周辺技術における基礎と応用、異種材料間の接着・密着制御技術、および技術改善、信頼性解析

プログラム

１．各種半導体デバイスの基礎（CPU、LSIメモリ、パワー半導体、液晶素子、イメージセンサ、発光素子、太陽電池）

２．基本デバイス構造（pn接合、バイポーラ、CMOS、TFT）

３．回路設計CAD／デバイス構造／プロセス技術の最適化（シフト量、平坦化、3次元化）

４．半導体基板（単結晶、多結晶、薄膜）

５．前処理（クリーンネス、RCA洗浄（SC1、SC2）、DLVO理論）

６．酸化（Deal-Grove理論、酸化種、Fick拡散則、拡散係数）

７．不純物導入（拡散法、イオン注入法、飛程、LSS理論、アニーリング）

８．薄膜形成①（ウェット：メッキ技術、シーズ層、気泡対策）

９．薄膜形成②（ドライ：核生成理論、蒸着、スパッタ、LP-CVD）

10．リソグラフィー①（レジスト塗布・露光・現像、レーリーの式、感度曲線）

11．リソグラフィー②（ウエットエッチ、pH－ポテンシャル曲線）

12．リソグラフィー③（ドライエッチング、プラズマ、RIE、レジスト除去）

13．配線技術（多層配線、ビア技術、平坦化、マイグレーション）

14．保護膜形成（CMP技術、透湿性、low-k材料、ソフトエラー）

15．実装技術（Pbフリーはんだ、ワイヤーボンディング）

16．パッシベーション（セラミック、モールド）

17．プリント基板（dk-df材料、ソルダーレジスト）

18．真空装置（真空の物理、真空ポンプ、コンダクタンス、真空計）

19．信頼性評価（活性化エネルギー、バーンイン、絶縁破壊）

20．クリーンルーム管理（浮遊微粒子、気流制御、ベイ方式、局所化）

21．プロセス計測／検査機器 (欠陥検査、重ね合わせ、プローブ顕微鏡、Ｘ線CT)

22．プロセスシミュレーション（コーティング、気流、応力集中、電流分布など）

23．質疑応答（日頃のトラブル・研究開発相談にも応じます）

24．参考資料
・塗膜トラブルQ&A事例集（トラブルの最短解決ノウハウ）
・表面エネルギーによる濡れ・付着性解析（測定方法）