『リソグラフィプロセスにおけるめっき，レジストマスクの基礎とトラブル対策』をテーマにセミナーを開催します
セミナーは終了しました
セミナー概要
● 日 時 2021年10月29日(金) 10:30～16:30
● 会 場 【WEB限定セミナー】※在宅、会社にいながらセミナーを受けられます。
● 主 催 S&T出版株式会社
● 講 師 河合 晃 教授
※詳細(申込み)は主催者ページをご覧ください。
https://stbook-s.com/seminar/st211029
セミナー内容
セミナー趣旨
近年、めっき技術はエレクトロニクス産業における基盤技術として、その重要性が確立されています。半導体デバイスや高周波用プリント基板およびMEMSなどのエレクトロニクスにおいては、主に、配線形成技術として実用化されています。また、高精度な配線やプラグ構造を形成するにはリソグラフィ技術が必要です。この技術では、レジストマスクで設計された領域に限定してめっき層を形成します。レジストマスクはエッチングマスクとしても用いられます。めっきによる配線形状の制御には、レジストマスクの高精度化が不可欠です。本セミナーでは、CuやNiなどの配線材料のめっき技術、およびリソグラフィ技術の基礎およびレジストマスクの高精度化について講演します。また、マスク変形やマスク剥離などのトラブル解決法についても解説します。本講座を通じて、初心者にも分かりやすく、基礎から学んでいただけます。また、受講者が抱えている日々のトラブル相談にも応じます。
受講対象者
めっき技術分野に関わる技術者を対象にしています。実務レベルのセミナー内容ですが、初心者の方にも分かりやすく説明します。
学べる事
・リソグラフィとめっき技術に関わる基礎学問の習得
・めっきおよびマスク技術プロセスの習得
・トラブルへの対応能力
プログラム
1. リソグラフィにおけるめっき技術
・エレクトロニクス産業における位置付け（半導体、高周波プリント基板、FPC、MEMS）
・配線形成技術としての位置付け（ダマシン、プローブ、プラグ、プリント基板配線、LIGA）
・基本プロセスフロー（マスク作成、めっき、エッチング、マスク除去）
・高精度化要因（CAD設計値からのシフト量管理）
2. レジストマスクの高精度化
2.1 基本プロセスと制御
・リソグラフィの基礎（トレンド、分解能、アスペクト比）
・レジスト材料（DFR、液レジ、ネガ、ポジ）
・レジスト膜形成（HMDS処理、ラミネーター、スピンコート）
・パターン露光（光回折、光学コントラスト、露光マスク）
・パターン現像（感度曲線、溶解コントラスト）
・レジスト除去（ウェット／ドライ、レジスト変質）
・形状の高精度化（マルチパターニング、逆テーパ、裾引き、T-top対策）
2.2 レジストトラブル対策
・レジスト剥がれ（界面浸透）
・形状変形（熱だれ、体積効果）
・亀裂（環境応力亀裂、応力集中）
・現像膨潤（内部浸透）
・ラミネーティング歪み（結晶化歪み）
・形状異常（逆テーパ、T-top対策、裾引き）
3. めっき技術の高精度化
3.1 基本プロセス
・電解／無電解めっき（Cu、Niめっき）
・めっき液の濡れ性制御（表面エネルギー）
・シーズ層形成（核生成）
・不働態膜形成（pH－ポテンシャル図）
・めっき膜性質（結晶成長）
3.2 めっきトラブル対策
・膜はく離（界面付着性）
・ブリスター（ガス発生）
・クラック（応力マッチング）
・ひさし（界面浸透、表面エネルギーバランス）
・電極腐食（ダマシン、水素水処理）
4. 参考資料
・濡れ性トラブルQ&A事例集（トラブルの最短解決ノウハウ）
・表面エネルギーによる濡れ・付着性解析（測定方法）
5. 質疑応答
日頃の開発・トラブル相談に個別に応じます。