『ウェットエッチングの基礎と形状コントロール及びトラブル対策』をテーマにセミナーを開催します
セミナーは終了しました
セミナー概要
● 日 時 2021年7月15日(木) 13:00～16:30
● 会 場 当日ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナー
● 主 催 株式会社シーエムシー・リサーチ
● 講 師 河合 晃 教授
※詳細(申込み)は主催者ページをご覧ください。
https://cmcre.com/archives/74356/
セミナー内容
セミナー趣旨
ウェットエッチングは工業的にも歴史が古く、かつ、高周波プリント基板や LSI および液晶デバイスなどの様々な先端分野で主力の加工技術となっています。また、ウェットエッチングは、量産性やコスト性および設備の簡易さに優れており、かつ、エッチングと同時にウェット洗浄も行えるという特長を有しています。しかし、ウェットエッチングには、濡れ性制御、反応性コントロール、界面密着制御、マスク耐性などの様々な要因が関わっており、高精度化のためには、それぞれを最適化することが必要です。近年では、ウェットエッチングによるアンダーカット形状の高精度化が求められています。本セミナーでは、ウェットエッチングの基礎メカニズムに重点を置きながら、エッチングの高精度化、トラブル対策についても解説します。日頃の技術開発やトラブル相談にも個別に応じます。
セミナー対象
初心者の方にも分かりやすく解説します。
セミナーで得られる知識
ウェットエッチングの基礎、コントロール要因、形状制御技術
プログラム
1. ウェットエッチングの基礎
・加工技術としての位置づけ（設計値とシフト量）
・基本プロセスフロー（前処理、表面洗浄、エッチング液、マスク除去、洗浄）
・プロセス支配要因（濡れ、律速、反応速度、エッチング機構）
・等方性エッチング（アンダーカット）
・結晶異方性エッチング（結晶方位依存性）
・表面エネルギー理論による界面浸透解析（拡張エネルギーS, 円モデル）
・処理装置（液循環、ディップ、シャワー、スピンエッチ、フィルタリング）
2. アンダーカット形状コントロール
・支配要因（界面濡れ性、応力集中、液循環、マスク耐性）
・形状コントロール（エッチングラインの高精度化）
・高精度形状計測（断面SEM、定在波法、光干渉法、X線CT）
3. トラブル要因と解決方法（最短の解決のために）
・マスクパターンの剥離（付着エネルギーWa及び剥離要因）
・エッチング液の濡れ不良（ピンニング不良）
・エッチング開始点の遅れ（コンタクトラインのVF変形）
・ホールパターンの気泡詰まり（界面活性剤）
・エッチング表面の荒れ（気泡、異物）
・金属汚染（RCA洗浄）
・液中酸化（溶存酸素）
・再付着防止（DLVO理論、ゼータ電位）
・乾燥痕（マランゴニー対流、IPA蒸気乾燥）
4. 質疑応答
（日頃の技術開発およびトラブル相談に個別に応じます）