『レジストの材料・プロセス・装置の総合知識 ～基礎とノウハウ、高品位化、最適化、トラブル対処法とユーザー対策～』をテーマにセミナーを開催します
セミナーは終了しました
セミナー概要
● 日 時 2020年8月31日(金) 10:30～16:30
● 会 場 Live配信セミナー ※会社・自宅にいながら学習可能です※
● 主 催 サイエンス＆テクノロジー株式会社
● 講 師 河合 晃 教授
※詳細(申込み)は主催者ページをご覧ください。
https://www.science-t.com/seminar/A200851.html
セミナー内容
趣旨
現在、レジスト材料は、半導体、ディスプレイ、プリント基板、太陽電池、ＭＥＭＳ等の多くの電子産業分野において、世界市場で実用化されています。その市場規模は、年間1500億円におよび年々拡大しています。その反面、レジスト材料プロセス技術の高度化に伴い、フォトレジストの品質が製品に与える影響も深刻化しています。また、レジストユーザーの要求も幅広くなり、レジスト材料および装置メーカー側は対応に追われる状況です。
本セミナーでは、これからレジスト材料を使用するユーザー、レジスト材料開発、処理装置開発、リソグラフィ分野でトラブルを抱えている方々を対象に、フォトレジスト材料の特性、プロセスの最適化、付着・濡れ・欠陥といった各種トラブルに注目し、評価・解決のアプローチを丁寧に説明します。また、研究開発・トラブルフォローといった実務上での取り組み方について、豊富な実例とノウハウを交えながら解説します。初心者にも分かりやすく、基礎から学べる内容となっています。また、最近の傾向として、レジスト材料および装置メーカーにおいても、ユーザー側のデバイス作製のノウハウと知識が求められてきています。レジストユーザーの視点とは何かを講師の経験も含めて詳述します。受講者が抱えている日々のトラブルやノウハウ相談にも個別に応じます。
目次
１．レジスト・リソグラフィ産業の現状
（レジスト材料の市場競争力向上とユーザーの導入基準とは）
２．リソグラフィプロセスの基礎（これだけは習得しておきたい）
2.1 レジスト材料／プロセスの最適化
（プロセスフロー、レジスト材料、ポジ型／ネガ型の選択基準、光化学反応メカニズム、パターン現像、PEB、TARC/BARC、厚膜レジスト、平坦化）
2.2 露光描画技術の最適化
（露光システム、レイリ―の式、解像力、焦点深度、液浸露光、重ね合わせ技術）
2.3 レジストコントラストで制御する
（光学像コントラスト、残膜曲線、溶解コントラスト、現像コントラスト、パターン断面形状改善）
2.4 エッチングマスクとしてのレジスト
（プラズマとは、等方性/異方性エッチング、RIE、エッチング残さ、ローディング効果、選択比、ウェットエッチング、レジスト浸透と膨潤）
2.5 レジスト処理装置の最適化
（HMDS処理、コーティング、現像、レジスト除去の要点）
３．先端および応用技術
3.1 EUV技術と延命化プロセス
（EUV、k1<0.25の実現、位相シフト、液浸、ダブル／マルチパターニング技術、LELE型、スペーサ／サイドウォール型、多層レジスト）
3.2 レジスト支援プロセス
（ペリクル、イメージリバーサル、表面難溶化プロセス、光造形、ナノインプリント）
3.3 プリント基板、ソルダーレジスト技術
（5G対応プリント基板技術、DFR/メッキプロセス、耐はんだ性）
3.4 シミュレーション技術(効果的な技術予測)
（レジスト形状、ノズル塗布、スピンコート、パターン内3次元応力解析）
４．レジスト欠陥・剥離対策（歩留り向上の最優先対策とは）
4.1 致命欠陥とは
（配線上異物、ショート欠陥、バブル欠陥、塗布ミスト、接触異物、フィルタリング、欠陥計測法）
4.2 プロセス欠陥と対策
（乾燥むら、ベナールセル、環境応力亀裂、ピンホール、膜はがれ）
4.3 剥離メカニズムとは
（付着促進要因と剥離加速要因、検査用パターン
５．レジスト材料・プロセスの高精度計測
5.1 原子間力顕微鏡(AFM)によるパターン付着力測定方法(DPAT法)
5.2 LER解析
（表面難溶化層、側面粗さ）
5.3 共焦点レーザー顕微鏡（CLSM法）による現像過程の解析
（レジスト溶解挙動のリアルタイム解析）
６．質疑応答、技術開発および各種トラブル相談
（日頃のトラブルサポートなどに個別に応じます）