『ダブルパターニング・マルチパターニング技術の基礎とプロセスおよび材料の最適化』をテーマにセミナーを開催します
セミナーは終了しました
セミナー概要
● 日 時 2019年3月27日(水) 13:00～16:30
● 会 場 東京・品川区大井町 きゅりあん 4F 研修室
● 主 催 サイエンス＆テクノロジー株式会社
● 講 師 河合 晃 教授
※詳細(申込み)は主催者ページをご覧ください。
https://www.science-t.com/seminar/B190327.html
セミナー内容
セミナー趣旨
今日の半導体デバイスの進展を支えてきた技術の一つに微細パターン形成技術がある。１９８５年代初めに数μmのオーダであった最小加工寸法は、現在数10nmのレベルまで微細化され、３０年で１／１００にまで縮小された。すでにArF(193 nm) の波長を用いた光リソグラフィでは、高NA化は限界に達しており、レイリーの式におけるk1ファクターの縮小が可能となるダブル／マルチパターニングリソグラフィが光リソグラフィの延命化技術の本命となる。ダブル／マルチパターニング技術では、工程の複雑さ、寸法ばらつき、重ね合わせ、パターン分割などの様々な高精度化へ技術課題が存在する。
本セミナーではこれらの課題解決に注目し、ダブル／マルチパターニング技術における基礎とプロセス材料の最適化について述べる。
プログラム
１．光リソグラフィーの技術トレンド
1.1 パターン解像性（k1=0.25解像限界）
1.2 微細化の延命化技術の概要（多層、位相シフト、超解像、液浸、ダブル／マルチパターニング）
２．ダブル／マルチパターニング
2.1 k1<0.25の実現（多重露光との差）
2.2 パターニングシステム
2.2.1 リソ・エッチ・リソ・エッチ(LELE)型
2.2.2 スペーサ／サイドウォール型
2.2.3 簡易化プロセス（材料プロセス）
2.3 高精度化技術
2.3.1 寸法ばらつき抑制（要因分析と設計基準）
2.3.2 重ね合わせ誤差低減（評価と計測手法）
2.3.4 パターン分割ルール（効果的なパターン設計）
2.3.5 光近接効果補正(OPC)（パターン形状の高精度化）
2.3.6 エッチング（スペーサ欠陥の低減）
2.3.7 パターン欠陥撲滅（歩留まり向上への取り組み）
３．質疑応答・技術相談
(日頃のトラブル・研究開発の相談に対応します。)