基礎技術解説濡れ・気泡・付着・表面処理

ピンホールは拡張モードで解決する

濡れコントロールは、塗工液と基板との界面相互作用が基礎となる。基板上の濡れ性解析は洗浄・乾燥・接着におけるトラブル低減に効果がある。ここではピンホール形成のメカニズムと対策について紹介する。薄膜形成法の一つであるスピンコート法は、その均一性の良さ、および量産プロセスへの適合性のため様々な分野で用いられている。この手法は、大規模集積回路 (LSI) や大型表示デバイスの製造技術であるリソグラフィにおいても、LSI基板上への高分子膜の塗布やパターン現像時のウェット処理に用いられる。ここでは、高分子膜のスピンコート中に発生する大面積ピンホール (濡れ不良) に注目する。使用した高分子膜には、ノボラック樹脂、溶剤、感光剤が含まれている。スピンコート用基板として、6インチサイズのシリコン酸化膜(スピンオンガラス:SOG)基板を用いる。

塗布膜のピンホール不良(中心に点欠陥が存在する)
塗布膜のピンホール不良
(中心に点欠陥が存在する)
半導体デバイス基板上で生じたピンホール不良
半導体デバイス基板上で生じたピンホール不良

上の左図は高分子膜に生じたピンホール写真を示している。ピンホール部は、直径約250μmの範囲にわたり高分子膜が濡れていない。また、ピンホール中心部には大きさ数10μmの異物が存在している。よって、高分子膜が遠心力で基板上を拡がる際、異物によって高分子膜の連続性が失われピンホールが形成される。このピンホールはウェハ中心部より外周部に多く発生し、ウェハ回転時の遠心力が一要因となっている。結果として、上の右図のように、高分子膜の表面張力により膜の収縮が加速され、ピンホールはデバイス製品全体に拡大される。

ピンホール数の熱処理温度依存性
ピンホール数の熱処理温度依存性
SOG膜の表面エネルギーの熱処理温度依存性
SOG膜の表面エネルギーの熱処理温度依存性

ここで、ピンホールの発生メカニズムを考察する。上の左図は、発生したピンホール数のSOG基板の熱処理温度依存性を示している。175℃以上の熱処理によって、ピンホール数が急激に増加する。また、上の右図はSOG基板の表面自由エネルギーの熱処理温度依存性を示している。SOG膜の表面自由エネルギーは熱処理温度の増加と共に低下している。また、熱処理温度の上昇に伴い極性成分は減少し、分散成分は逆に増加する。

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以下のような表や解説が続きます。

  • [表] 樹脂膜の拡張係数Sと濡れエネルギーWa

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