下の左図は、ドライフィルムレジスト(DFR)を用いて、メッキによる回路パターン形成を示している。DFRパターンに沿って、均一な金属メッキ膜が形成されていることが分かる。DFRには、メッキ中の金属の強い凝集性に耐える特性が求められる。また、基板とDFR界面での寸法変形等が無いことが必要である。

下図は基板とDFR界面にメッキ液が浸透したことによる不良を示している。これらの不良は回路ショートなどのトラブルを引き起こす原因となる。形状コントロールとしては、上の右図のように、積層プロセスにより形成したパターンを示している。DFRを用いた場合、溶剤系のレジストコーティングと異なり層間の溶剤ミキシングが生じない。また、レジストパターンの断面形状コントロールが可能であるなどのメリットがある。パターン解像力は高くないが、今後のIoT分野に対応できるDFR積層プロセスとして注目されている。