基礎技術解説リソグラフィ

リソグラフィによる高分子パターン形成

電子デバイスの発展とともに、シリコン材料を主体とした微細加工技術(リソグラフィ)が進展してきた。基板のエッチングには、高分子材料を主体としたマスクが用いられる。超LSIデバイス(高集積半導体素子)用のリソグラフィ技術として、X線、電子線、イオンビーム等が注目されてきた。しかし、最近、紫外線によるリソグラフィ技術の発展が目ざましい。下図に、光リソグラフィの代表的なプロセスフローを示している。光リソグラフィ技術は、マスク上に形成されたLSIの各層毎の回路パターンを、高圧水銀灯による紫外光(λ=200~500nm)を用い高分子膜に焼き付けるものである。このプロセスは、(1)基板形成、(2)密着強化処理、(3)高分子膜塗布及びソフトベーク、(4)露光、(5)現像、(6)DUV(Deep Ultra Violet)光照射とハードベーク、(7)基板エッチング、(8)高分子膜除去の工程に分けることができ、この順序で基本的に半導体基板を処理していく。

光リソグラフィプロセスフロー
光リソグラフィプロセスフロー

(1)基板形成

(2)密着強化処理

(3)高分子膜塗布、ソフトベーク

(4)露光

(5)現像

(6)DUV光照射、ハードベーク

(7)基板エッチング

(8)高分子膜除去

この続きは、お問い合わせください。

(1)~(8)の解説が続きます。

お問い合わせフォーム

ページのトップへ戻る